XP3P050AG

YAGEO XSEMI

XP3P050AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 15 V
HerstellerYAGEO XSEMI
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieXP3P050A
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
Max. Verlustleistung1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSOT-89

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)