XP3700YT

YAGEO XSEMI

XP3700YT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N AND P-CH 30V 8.7A 6.1A

Aktiv8-PowerDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 15V
HerstellerYAGEO XSEMI
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieXP3700
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Power - Max2.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerDFN
Hersteller-GehäusePMPAK® 3 x 3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)