XP3700M

YAGEO XSEMI

XP3700M

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A

Aktiv8-SOICAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7A, 10V
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 15V
HerstellerYAGEO XSEMI
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieXP3700
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-SOIC
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)