XP2302GN

YAGEO XSEMI

XP2302GN

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds145 pF @ 10 V
HerstellerYAGEO XSEMI
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieXP2302
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
Max. Verlustleistung1.38W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)