E3M0120090J-TR

Wolfspeed, Inc

E3M0120090J-TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC, MOSFET, 120M, 900V, TO-263

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 600 V
HerstellerWolfspeed, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieE
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Max. Verlustleistung83W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)