CCB016M12GM3

Wolfspeed, Inc

CCB016M12GM3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC, MODULE, 16M,1200V, 48 MM, G

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.8mOhm @ 50A, 15V
Konfiguration6 N-Channel
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6700pF @ 1000V
HerstellerWolfspeed, Inc.
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 23mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tj)
Power - Max10mW

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)