CAB008A12GM3T

Wolfspeed, Inc

CAB008A12GM3T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC 2N-CH 1200V 182A MODULE

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 150A, 15V
Basis-TeilenummerCAB008
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs472nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 800V
HerstellerWolfspeed, Inc.
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 46mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C182A (Tj)

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)