C3M0160120J-TR

Wolfspeed, Inc

C3M0160120J-TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 8.5A, 15V
Basis-TeilenummerC3M0160120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 1000 V
HerstellerWolfspeed, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieC3M™
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 2.33mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)