C3M0120065D

Wolfspeed, Inc

C3M0120065D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

650V 120M SIC MOSFET

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs157mOhm @ 6.76A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 400 V
HerstellerWolfspeed, Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieC3M™
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 1.86mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Max. Verlustleistung98W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)