W989D2DBJX6E

Winbond Electronics

W989D2DBJX6E

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA

Aktiv90-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPSDR
Zugriffszeit5 ns
Basis-TeilenummerW989D2
HerstellerWinbond Electronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceLVCMOS
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case90-TFBGA
Hersteller-Gehäuse90-VFBGA (8x13)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)