W979H2KBVX1E

Winbond Electronics

W979H2KBVX1E

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA

Abgekündigt134-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Basis-TeilenummerW979H2
HerstellerWinbond Electronics
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceHSUL_12
Taktfrequenz533 MHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case134-VFBGA
Hersteller-Gehäuse134-VFBGA (10x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)