W979H2KBQX2E

Winbond Electronics

W979H2KBQX2E

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Aktiv168-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Basis-TeilenummerW979H2
HerstellerWinbond Electronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case168-WFBGA
Hersteller-Gehäuse168-WFBGA (12x12)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)