W949D6DBHX5E

Winbond Electronics

W949D6DBHX5E

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA

Aktiv60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Zugriffszeit5 ns
Basis-TeilenummerW949D6
HerstellerWinbond Electronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization32M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-VFBGA (8x9)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C~85°C(TC)