W66BP6NBUAGJ

Winbond Electronics

W66BP6NBUAGJ

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA

Aktiv200-WFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerW66BP6
HerstellerWinbond Electronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceLVSTL_11
Taktfrequenz1.866 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-WFBGA
Hersteller-Gehäuse200-WFBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)