W63AH2NBVACE

Winbond Electronics

W63AH2NBVACE

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

Aktiv178-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR3
Zugriffszeit5.5 ns
Basis-TeilenummerW63AH2
HerstellerWinbond Electronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceHSUL_12
Taktfrequenz933 MHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization32M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case178-VFBGA
Hersteller-Gehäuse178-VFBGA (11x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)