WNSC2D16650CJQ

WeEn Semiconductors

WNSC2D16650CJQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF

AktivTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerWNSC2
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)16A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3PF

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C