Allgemein
| Basis-Teilenummer | WNSC1 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 328pF @ 1V, 1MHz |
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 12 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | 5-DFN (8x8) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|