WND10P08XQ

WeEn Semiconductors

WND10P08XQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 800V 10A TO220F

AktivTO-220-2 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerWND10
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 800 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseTO-220F

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C