WNB2560MQ

WeEn Semiconductors

WNB2560MQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

WNB2560M/GBJ/STANDARD MARKING *

Aktiv4-SIP, GBJAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerWNB2560
Diode TypeSingle Phase
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If920 mV @ 12.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io)25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-SIP, GBJ
Hersteller-GehäuseGBJS

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)