NXPSC08650BJ

WeEn Semiconductors

NXPSC08650BJ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNXPSC
Capacitance @ Vr, F260pF @ 1V, 1MHz
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr230 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C (Max)