BYV10MX-600PQ

WeEn Semiconductors

BYV10MX-600PQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

AktivTO-220-2 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBYV10
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseTO-220F

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C