BYT28X-500Q

WeEn Semiconductors

BYT28X-500Q

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARRAY GP 500V 10A TO220F

AktivTO-220-3 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBYT28
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 500 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseTO-220F

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C