BYC30JT-600PSQ

WeEn Semiconductors

BYC30JT-600PSQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBYC30
HerstellerWeEn Semiconductors
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)22 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.75 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io)30A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PF

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C