Allgemein
| Basis-Teilenummer | BUJ100 |
|---|---|
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 750mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 400mA, 5V |
| Power - Max | 2.1 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|