TP0610K-T1-E3

Name: TP0610K-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 500mA, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	23 pF @ 25 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	185mA (Ta)
Max. Verlustleistung	350mW (Ta)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)