Vishay Siliconix

TP0101K-T1-E3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 580mA, 4.5V
Basis-Teilenummer	TP0101
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	580mA (Ta)

Mechanisch

Gehäuse	Cut Tape (CT)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)