Vishay Siliconix

TN0200K-T1-E3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V SOT23-3

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V
Basis-Teilenummer	TN0200
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2 nC @ 4.5 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	730mA (Ta)

Mechanisch

Gehäuse	Cut Tape (CT)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)