SUP90220E-GE3

Vishay Siliconix

SUP90220E-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSUP90220
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
Max. Verlustleistung230W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)