SUP80090E-GE3

Vishay Siliconix

SUP80090E-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3425 pF @ 75 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C128A (Tc)
Max. Verlustleistung375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)