SUM70030M-GE3

Vishay Siliconix

SUM70030M-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerSUM70030
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10870 pF @ 50 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
Max. Verlustleistung375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)