SUM40010EL-GE3

Vishay Siliconix

SUM40010EL-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11155 pF @ 30 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Max. Verlustleistung375W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)