SUG90090E-GE3

Vishay Siliconix

SUG90090E-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5220 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung395W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)