SUD80460E-GE3

Vishay Siliconix

SUD80460E-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs44.7mOhm @ 8.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 50 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Max. Verlustleistung65.2W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)