SUA70090E-E3

Vishay Siliconix

SUA70090E-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 50 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42.8A (Tc)
Max. Verlustleistung35.7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220 Full Pack

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)