SQJB60EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJB60EP-T2_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8

AktivPowerPAK® SO-8 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8 Dual

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101