SQJA12EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA12EP-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

AktivTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3635 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C