SQJ868EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

SQJ868EP-T1_BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

AktivPowerPAK® SO-8 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.35mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2450 pF @ 20 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Max. Verlustleistung48W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101