SQJ858AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

SQJ858AEP-T1_BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 14A, 10V
Basis-TeilenummerSQJ858
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2450 pF @ 20 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Max. Verlustleistung48W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)