SQJ136ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ136ELP-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.12mOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerSQJ136
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8015 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350A (Tc)
Max. Verlustleistung500W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)