SQD50N04-09H-GE3

Vishay Siliconix

SQD50N04-09H-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerSQD50N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4240 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA