SQA470EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQA470EJ-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 20 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.25A (Tc)
Max. Verlustleistung13.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6 Single

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)