SQA446CEJW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQA446CEJW-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)

Aktiv6-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds910 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Max. Verlustleistung13.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerPAK®SC-70W-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)