SQA410EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQA410EJ-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds485 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.8A (Tc)
Max. Verlustleistung13.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6 Single

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)