SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8

ObsoletPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 5.7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1385 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung53W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)