SQ4435EY-T1_BE3

Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2170 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung6.8W (Tc)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101