SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3585EV-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Power - Max1.67W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101