SQ3442EV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3442EV-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerSQ3442
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP