SQ3418EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3418EEV-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerSQ3418
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP