SQ2364EES-T1_GE3

Name: SQ2364EES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Max. Verlustleistung	3W (Tc)