SQ2361AEES-T1_GE3

Name: SQ2361AEES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 2.4A, 10V
Basis-Teilenummer	SQ2361
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 30 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Max. Verlustleistung	2W (Tc)

Gehäuse	Tape & Reel (TR)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Betriebstemperatur	-55°C~175°C(TA)